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基于非晶化与尺度效应的SiN埋绝缘层上晶圆级单轴应变SiGe的制作方法

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摘要

本发明公开了一种基于非晶化与尺度效应的SiN埋绝缘层上晶圆级单轴应变SiGe的制作方法。其实现步骤是：在清洗后的SiN埋绝缘层上SiGe晶圆顶层SiGe层上淀积SiO

1. 基于非晶化与尺度效应的SiN埋绝缘层上晶圆级单轴应变SiGe的制作方法 [P] . 中国专利： CN105977197B . 2018.09.11
2. 基于非晶化与尺度效应的SiN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Ge的制作方法 [P] . 中国专利： CN105977198B . 2019.01.29
3. Formation method of wafer level lens array, formation type, wafer level lens array and the wafer level lens array which possesses [P] . 日本专利： JP5450174B2 . 2014-03-26

机译：晶圆级透镜阵列的形成方法，形成类型，晶圆级透镜阵列以及具有该晶圆级透镜阵列的晶圆级透镜阵列
4. Wafer level chip scale package manufacture comprises use of mold or complex stencil to make stress relaxing insulation layer for front face of wafer [P] . 法国专利： FR2849270A1 . 2004-06-25

机译：晶圆级芯片级封装的制造包括使用模具或复杂的模具来制造用于晶圆正面的应力松弛绝缘层
5. QUARTER WAFER LOADING STRUCTURE IN A WAFER CARRIER OF A CHAMBER FOR GAS PHASE THIN FILM GROWTH AND A QUARTER TYPE WAFER CARRIER FOR THE SAME, CAPABLE OF MANUFACTURING A LASER DIODE WITH GOOD LEAKAGE CURRENT BLOCKING FEATURES [P] . 韩国专利： KR20090110460A . 2009-10-22

机译：用于气相薄膜生长的腔室晶圆载体中的第四级晶圆负载结构，以及用于相同尺寸的四级晶圆载体的第二级晶圆载体，能够制造具有良好泄漏电流阻塞特性的激光二极管