パーティクル計測技術：ウェーハ上のパーティクル測定－ノンパターンウェーハにおけるパーティクル測定技術とその応用

摘要

近年ノンパターンウェーハにおけるパーティクル測定感度は、パターン付きウェーハにおける欠陥検出感度への要求と同様に、デバイスのデザインルールの縮小た伴い、その検出感度の向上が求められている。表1に2004年アップデート版のITRS (International Technology Roadmap for Semiconductor)のロードマップを示す。 ウェーハ出荷の段階ではまだ90～65nmサイズの感度が主流であるが、最新のデバイス開発では50nm 以下のパーティクル測定が必要とされている。 また酸化膜や金属膜などの膜付きウェーハでは、ウェーハ表面からの散乱信号が増大するため、研磨済みウェーハに比べて欠陥の検出が難しくなる。 このため各種プロセスにおける膜付きウェーハに対する感度向上も要求されている。 本稿ではノンパターンウェーハ上のパーティクル測定に関してその原理および実際の応用例について述べる。