基于非晶化与尺度效应的晶圆级单轴应变GeOI的制作方法

摘要

本发明公开了一种基于非晶化与尺度效应的晶圆级单轴应变GeOI的制作方法。其实现步骤是：在清洗后的GeOI晶圆顶层Ge层上淀积SiO₂层；对顶层Ge层进行离子注入形成非晶化层，并去除非晶化层上的SiO₂层；在顶层Ge层上淀积张应力SiN薄膜或压应力SiN薄膜后将SiN薄膜刻蚀成条状，得到单轴张应力SiN条状阵列或单轴压应力SiN条状阵列，并对带有SiN条状阵列的GeOI晶圆进行退火，使非晶化层重结晶，使SiO₂埋绝缘层发生塑性形变；刻蚀掉SiN条状阵列，得到晶圆级单轴应变GeOI。本发明应变量大、成本低、晶圆平整度高，可用于制作晶圆级单轴应变GeOI材料。