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用于GaN电路负载的GaN电路驱动器

摘要

公开了一种电子电路。电子电路包括具有GaN的衬底,以及形成在衬底上并包括第一控制栅极和第一源极的功率开关。电子电路还包括形成在衬底上并包括耦接到第一控制栅极的输出的驱动电路,以及具有电源电压并耦接到驱动电路的电源,其中输出可以被驱动到电源电压。

著录项

  • 公开/公告号CN107005163B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-09-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 纳维达斯半导体股份有限公司;

    申请/专利号CN201580049750.0

  • 发明设计人 D·M·金泽;S·莎玛;J·J·张;

    申请日2015-09-16

  • 分类号H02M3/158(20060101);H03K17/10(20060101);

  • 代理机构11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人金晓

  • 地址 美国加利福尼亚

  • 入库时间 2022-08-23 10:16:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-09-04

    授权

    授权

  • 2017-08-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):H02M3/158 申请日:20150916

    实质审查的生效

  • 2017-08-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):H02M 3/158 申请日:20150916

    实质审查的生效

  • 2017-08-01

    公开

    公开

  • 2017-08-01

    公开

    公开

  • 2017-08-01

    公开

    公开

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