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具有冗长修复功能的薄膜磁性体存储装置

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与存储器阵列(10)相邻地配置的编程组件(PU0～PU2)分别各存储置换修复所需要的冗长信息的1位。在通常的数据读出动作之前，从编程组件中读出的冗长信息锁存到行选择电路(20)内。行选择电路(20)根据由冗长信息表示的不良行地址与输入的行地址(RA0，RA1)的一致判断有选择地激活与正规存储单元对应的字线(WL0～WL3)和备用字线(SWL)中的1条字线。

著录项

公开/公告号CN1302482C

专利类型发明授权
公开/公告日2007-02-28

原文格式PDF
申请/专利权人三菱电机株式会社;
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申请/专利号CN02143452.2
发明设计人大谷顺;
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申请日2002-09-26
分类号G11C11/15(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人刘宗杰;叶恺东
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 08:59:10

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-11-10

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 11/15 授权公告日:20070228 终止日期:20160926 申请日:20020926

专利权的终止
2014-05-07

专利权的转移 IPC(主分类):G11C 11/15 变更前: 变更后: 登记生效日:20140416 申请日:20020926

专利申请权、专利权的转移
2014-05-07

专利权的转移 IPC(主分类):G11C 11/15 变更前: 变更后: 登记生效日:20140416 申请日:20020926

专利申请权、专利权的转移
2007-02-28

授权

授权
2007-02-28

授权

授权
2003-10-15

实质审查的生效

实质审查的生效
2003-10-15

实质审查的生效

实质审查的生效
2003-07-30

公开

公开
2003-07-30

公开

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