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一种集成锗电阻温度传感器的硅基光子芯片

摘要

本发明公开了一种集成锗电阻温度传感器的硅基光子芯片,所述硅基光子芯片集成的锗电阻温度传感器制作在SOI晶圆上,所述硅基光子芯片上的锗电阻温度传感器设置在靠近待测硅基光波导的一侧,所述锗电阻温度传感器的电阻随着所述待测硅基光波导的温度变化而变化。本发明利用锗材料,在硅基光子芯片中集成锗电阻温度传感器,该锗电阻温度传感器能够通过硅基光子芯片常规工艺实现,与硅基光子芯片的制作工艺兼容,能够大规模生产,大大降低了成本。

著录项

  • 公开/公告号CN106629572B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-08-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉邮电科学研究院;

    申请/专利号CN201611219563.5

  • 申请日2016-12-26

  • 分类号

  • 代理机构北京捷诚信通专利事务所(普通合伙);

  • 代理人王卫东

  • 地址 430074 湖北省武汉市东湖开发区光谷创业街67号

  • 入库时间 2022-08-23 10:15:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-08-24

    授权

    授权

  • 2017-06-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):B81B7/00 申请日:20161226

    实质审查的生效

  • 2017-05-10

    公开

    公开

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