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公开/公告号CN106629572B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-08-24
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉邮电科学研究院;
申请/专利号CN201611219563.5
发明设计人 王磊;肖希;陈代高;李淼峰;杨奇;余少华;
申请日2016-12-26
分类号
代理机构北京捷诚信通专利事务所(普通合伙);
代理人王卫东
地址 430074 湖北省武汉市东湖开发区光谷创业街67号
入库时间 2022-08-23 10:15:43
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-08-24
授权
2017-06-06
实质审查的生效 IPC(主分类):B81B7/00 申请日:20161226
实质审查的生效
2017-05-10
公开
机译: 集成在块状硅基质上的锗/锗硅光子器件
机译: 芯片上加热,用于电修整多晶硅和多晶硅硅锗电阻器以及集成电路的可编程电熔丝
机译: 一种制造芯片级电子光子(等离子)集成电路的方法
机译:一种晶片级封装结构,具有单片微波集成电路和无源元件,其嵌入在硅基板中,用于射频应用的多芯片模块
机译:一种用于连续变量量子密钥分布的集成硅光子芯片平台
机译:成功地首次使用纳米线和光子晶体形成光学纳米谐振器,开发出一种新的集成技术,该技术可以在硅芯片上实现超小型光学器件
机译:用于单芯片WDM接收器的硅基AWG滤波器和锗光电二极管的单片集成
机译:基于集成的硅基光子,声学和光学机械设备
机译:硅基硅锗锗异质结构光子学
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机译:基于环形谐振腔结构的超灵敏芯片光子温度传感器。