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利用低温防分解籽晶层在砷化镓衬底上生长氮化镓的方法

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摘要

本发明公布一种利用低温防分解籽晶层在砷化镓衬底上生长氮化镓的方法，包括将砷化镓衬底正面沉积形成一层低温防分解籽晶层；在上述衬底的背面与侧面通过沉积用致密材料进行保护；处理得到的砷化镓衬底外延生长氮化镓材料得到氮化镓复合衬底，进一步制备得到自支撑氮化镓衬底。低温防分解籽晶层为石墨烯、Al

1. 利用低温防分解籽晶层在砷化镓衬底上生长氮化镓的方法 [P] . 中国专利： CN105070648A . 2015-11-18
2. process for epitaxialen grow a gallium arsenide layer on a gallium arsenide substrate [P] . 德国专利： DE2945333C2 . 1983-12-29

机译：外延生长在砷化镓衬底上生长砷化镓层的方法
3. Process for epitaxially growing a gallium arsenide layer having reduced silicon contaminants on a gallium arsenide substrate [P] . 美国专利： US4155784A . 1979-05-22

机译：在砷化镓衬底上外延生长具有减少的硅污染物的砷化镓层的方法
4. Transverse junction strip laser with low threshold current - where layers of gallium aluminium arsenide and gallium arsenide are grown epitaxially on gallium arsenide substrate [P] . 德国专利： DE2816269A1 . 1979-10-18

机译：具有低阈值电流的横向结带激光器-砷化镓铝和砷化镓层在砷化镓衬底上外延生长