一种在金属Al衬底上外延生长的GaN薄膜及其制备方法

摘要

本发明提供一种在金属Al衬底上外延生长的GaN薄膜，包括Al衬底、AlN缓冲层、GaN缓冲层、非晶AlN插入层和GaN薄膜；所述AlN缓冲层生长在Al衬底的(111)面的外延面上，所述GaN缓冲层外延生长在AlN缓冲层上，所述非晶AlN插入层生长在GaN缓冲层上，所述GaN薄膜外延生长在非晶AlN插入层上；所述AlN缓冲层与GaN薄膜层晶体外延取向关系为GaN(0001)平行于AlN(0001)平行于Al(111)。本发明通过选择合适的晶体取向，Al(111)衬底上获得的高质量GaN外延薄膜，提高了氮化物器件效率。