半浮栅存储器及其制造方法和半浮栅存储器阵列

摘要

本发明揭示了一种半浮栅存储器，包括至少一个在半导体衬底内形成的U形凹槽，一个在所述U形凹槽底部的半导体衬底内形成的掩埋源区，两个在所述U形凹槽两侧的半导体衬底内分别形成的漏区，在所述U形凹槽内形成的一个控制栅和两个用于存储电荷的浮栅，所述控制栅与任意一个所述漏区的组合选中一个所述浮栅，两个在所述U形凹槽两侧的半导体衬底内分别形成的与所述漏区和所述浮栅相连接的栅控pn结二极管。一种半浮栅存储器阵列，其中位线与对应的有源区之间的夹角小于80度，可以在相同的半导体衬底尺寸内制造出更多的半浮栅存储器，实现高密度存储。本发明采用自对准工艺制造半浮栅存储器及半浮栅存储器阵列，工艺过程简单，易于控制。