半浮栅存储器单元及半浮栅存储器阵列

摘要

本发明属于动态随机存储器技术领域，具体涉及一种半浮栅存储器单元及半浮栅存储器阵列。本发明的半浮栅存储器单元包括：一个源区、一个漏区、一个U形沟道区、一个设有缺口的浮栅、在所述缺口内设有控制栅、在所述浮栅与漏区之间设有隧穿晶体管。本发明还揭示了由多个本发明的半浮栅存储器单元组成半浮栅存储器阵列。在半浮栅存储器阵列中，对选中的其中一个半浮栅存储器单元写入数据时，施加在字线和位线上的电压对其它半浮栅存储器单元的存储状态影响较小，提高了半导体存储器芯片的存储性能。