AlGaN/GaN高电子迁移率场效应管结构

摘要

本发明是一种复合缓冲层极化调制的AlGaN/GaN高电子迁移率场效应管结构，其结构沿外延生长方向自下而上为：单晶衬底；极化调制的Al_x1Ga_1‑x1N缓冲层、Al_x2Ga_1‑x2N缓冲层；GaN沟道层；Al_yGa_1‑yN势垒层。优点：能够显著抬升缓冲层相对沟道势阱的背势垒高度，减小电应力下热电子由沟道进入缓冲层后被深能级受主俘获的几率，抑制电流崩塌；增强沟道二维电子气的限域性，降低缓冲层的寄生电导和漏电流，同时比常规的GaN或者Al_0.05Ga_0.95N缓冲层具有更高的临界击穿电场，提高器件的击穿特性。有利于提升AlGaN/GaN HEMT在射频功放和高速功率开关器件领域的功率和频率特性。