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多晶硅结晶方法、薄膜晶体管及其液晶显示器的制造方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅结晶方法,一种使用该结晶方法的薄膜晶体管制造方法,及其液晶显示器制造方法,这些方法使得能够形成高质量的具有一致取向晶粒的多晶硅层。多晶硅结晶方法包括:第一步骤,在一个衬底上形成多晶硅层;第二步骤,除了一部分具有特定取向的晶粒以外,使多晶硅层的晶粒成为非结晶的;和第三步骤,使用具有特定取向的晶粒使多晶硅层结晶,其中,使具有特定取向的晶粒在相对于基板垂直的方向排列,其中利用微多晶硅形成第一步骤中的多晶硅层,在第二步骤中进行硅离子注入。

著录项

  • 公开/公告号CN1291452C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2006-12-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LG.飞利浦LCD有限公司;

    申请/专利号CN02125156.8

  • 发明设计人 郑世镇;

    申请日2002-06-28

  • 分类号H01L21/20(20060101);H01L21/00(20060101);H01L21/336(20060101);G02F1/133(20060101);

  • 代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人李辉

  • 地址 韩国首尔

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-11

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/20 授权公告日:20061220 终止日期:20180628 申请日:20020628

    专利权的终止

  • 2019-06-11

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/20 授权公告日:20061220 终止日期:20180628 申请日:20020628

    专利权的终止

  • 2008-07-09

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 变更前: 变更后: 申请日:20020628

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2008-07-09

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 变更前: 变更后: 申请日:20020628

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2008-07-09

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 变更前: 变更后: 申请日:20020628

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2006-12-20

    授权

    授权

  • 2006-12-20

    授权

    授权

  • 2006-12-20

    授权

    授权

  • 2004-08-11

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-08-11

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-08-11

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-02-12

    公开

    公开

  • 2003-02-12

    公开

    公开

  • 2003-02-12

    公开

    公开

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