一种双栅极薄膜晶体管及其制作方法、以及阵列基板

摘要

本发明公开了一种双栅极薄膜晶体管及其的制作方法、阵列基板。其中，所述制作方法包括在第一基板上依次形成第一栅极、栅极绝缘层、半导体层以及刻蚀阻挡层；在对应暴露的所述半导体层上依次形成一漏极、一独立电极以及一源极；在暴露的所述刻蚀阻挡层以及所述漏极、所述源极、所述独立电极的表面形成绝缘保护层；以及在所述绝缘保护层上相对所述第一栅极的区域形成第二栅极。通过上述方式，本发明能够在不增加光罩的前提下，有效改善由于源极和漏极之间的有效沟道长度所引起的漏电问题，提高双栅极薄膜晶体管的电性能，增加其稳定性，简化制造工艺，节省成本。