一种自对准MEMS压阻式加速度计制作方法

摘要

本发明公开一种自对准MEMS压阻式加速度计制作方法，包括：在硅基片的底面通过KOH腐蚀工艺制作出腔体；在硅基片的顶面由下至上依次生长氧化层与氮化硅层；在氮化硅层上利用光刻工艺同时制作压阻图形与结构释放图形，并腐蚀压阻图形与结构释放图形处的氮化硅层；腐蚀压阻图形处的氧化层，再通过注入与退火工艺形成压敏电阻；腐蚀结构释放图形处的氧化层，形成结构释放区；对结构释放区位置的硅基片进行深刻蚀，形成可动结构，得到MEMS压阻式加速度计；压敏电阻图形和结构释放图形在一次光刻中形成，加工过程中不需设备进行对准，实现压敏电阻与器件结构的自对准，从而提高器件对称性，有效减小压敏电阻位置偏差带来的误差，提高器件性能。