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一种具有纯轴向变形敏感梁的MEMS压阻式三轴冲击加速度计芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有纯轴向变形敏感梁的MEMS压阻式三轴冲击加速度计芯片及其制备方法,该芯片包括X、Y、Z三个测量单元组成,分别用来测量X、Y、Z三个方向的加速度;无论是哪个测量单元,支撑量与敏感梁分离,支撑梁主要作用是支撑质量块运动,而应力主要集中于敏感梁,使得敏感梁上的压敏电阻条阻值发生变化,极大的弱化了灵敏度与谐振频率的相互制约关系,使得传感器的灵敏度和谐振频率都有了很大提高;无论是哪个测量单元,当受到某一方向的作用力时,两质量块的同步运动,与其固定的敏感梁两端也同步运动,从而敏感梁始终满足纯轴向变形条件,在相同谐振频率下,传感器的灵敏度达到最优。

著录项

  • 公开/公告号CN110531115B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN201910684531.X

  • 申请日2019-07-26

  • 分类号G01P15/12(20060101);B81C1/00(20060101);B81B7/02(20060101);

  • 代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人安彦彦

  • 地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号

  • 入库时间 2022-08-23 11:29:33

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