制造包括含硅层和含金属层的半导体器件的方法和半导体器件的导电结构

摘要

本发明公开了一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：形成含硅层；在含硅层之上形成含金属层；在含硅层与含金属层之间形成切口防止层；刻蚀含金属层；以及通过刻蚀切口防止层和含硅层来形成导电结构。