具有交错的垂直栅极的3D NAND非易失性存储器

摘要

一种存储器装置包括数个叠层的导电条、位于数个叠层的导电条上面并正交于数个叠层的导电条的字线、垂直栅极柱以及控制电路。字线电性耦接至垂直栅极柱，用于作为控制这些叠层的导电条中的电流流动的栅极。字线包括彼此相邻的第一字线及第二字线。垂直栅极柱在这些叠层的导电条之间。垂直栅极柱包括电性耦接至第一字线的第一组垂直栅极柱以及电性耦接至第二字线的第二组垂直栅极柱。第一组垂直栅极柱相对于第二组垂直栅极柱交错。控制电路控制字线作为栅极以控制这些叠层的导电条中的电流流动，并控制非易失性存储器操作。