摘要：随着5G时代的到来以及物联网技术的迅猛发展,作为无线通讯重要基石的射频谐振器及其滤波器芯片系统已经广泛应用于现代通讯网络中.压电氮化铝(AIN)薄膜,作为一种新型MEMS材料,具有优良的压电性能以及完美的半导体工艺兼容特性,是目前制备各种传感器、驱动器、谐振器以及滤波器等的最佳原材料.AIN材料的介电常数比传统的压电材料PZT小两个数量级,且机械品质因数显著高于PZT,这意味它在某些应用中能发挥更加优越的性能,如射频谐振器以及滤波器等.同时,Sc掺杂AIN材料(ScAIN),可以改善机械性能或增加压电系数,但却不会显著改变其它属性,这无疑将进一步提升MEMS器件的性能.报告将围绕氮化铝薄膜的制备为基础,重点讨论氮化铝薄膜材料在射频谐振器(Lamb波谐振器、FBAR)、滤波器等方面的研究,包括MEMS器件的设计、制程以及性能表征等.
