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一种高离化率高功率脉冲磁控溅射沉积薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种高离化率高功率脉冲磁控溅射沉积薄膜的方法,涉及薄膜材料技术领域。它主要解决了现有的靶材离化率低、等离子体不均匀以及薄膜均匀性差的问题。本发明的方法为:一,清洗腔室,并将试样固定于行星台上;二,将行星台放入密封腔室,抽真空,去除试样上的水分及吸附的空气;三,在试样上加负偏压,通高纯Ar气;四,向腔室通入Ar气以及N2,溅射靶材施加脉冲电压,进行表面镀膜;五,采用步进电机控制行星台运动轨迹来控制镀膜;六,待真空室内温度降至室温即可取出试样。本发明改变了薄膜制备时的靶材磁场控制以及镀膜时靶材电压施加形式,使得膜厚及致密度易于控制,结合力和均匀度高。

著录项

  • 公开/公告号CN105154838B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-06-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华南理工大学;

    申请/专利号CN201510607467.7

  • 申请日2015-09-22

  • 分类号C23C14/35(20060101);C23C14/02(20060101);

  • 代理机构44102 广州粤高专利商标代理有限公司;

  • 代理人何淑珍

  • 地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号

  • 入库时间 2022-08-23 10:12:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-06-22

    授权

    授权

  • 2016-01-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/35 申请日:20150922

    实质审查的生效

  • 2015-12-16

    公开

    公开

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