SRAM FINFET器件的结构和方法

摘要

本发明提供了SRAM FINFET器件的结构和方法。本发明提供了一种鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的实施例。该器件包括具有n型FinFET(NFET)区域和p型FinFET(PFET)区域的衬底。该器件也包括在NFET区域中位于衬底上方的第一和第二鳍结构以及在PFET区域中位于衬底上方的第三鳍结构。该器件也包括位于NFET区域中的第一高k(HK)/金属栅极(MG)叠层，包括包裹部分第一鳍结构的上方；第一源极/漏极(S/D)部件的第一子集，邻近第一HK/MG叠层，位于凹进的第一鳍结构上方；以及S/D部件的第二子集，部分地位于凹进的第二鳍结构上方并部分地位于凹进的第一鳍结构上方。