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一种应用于场效应晶体管半导体材料的二维复合氢氧化物微米晶体及其制备工艺

摘要

本发明公开了一种应用于场效应晶体管半导体材料的二维复合氢氧化物微晶及其制备工艺,并探讨了其导电性与材料的层板组成、金属离子类型、层间阴离子类型的关系。大尺寸、单分散的LDHs微米片的合成以及电极制备工艺可简要概括为以下步骤:(1)制备得到大尺寸、单分散的二维无机纳米复合氢氧化物微晶;(2)采用电子束刻蚀与蒸镀工艺制备成半导体场效应晶体管器件。本发明的优点在于,采用改进的回流法,合成出了不同类型的大尺寸、单分散的二维LDHs单晶微米片,并首次将其应用于场效应晶体管的沟道材料,极大拓展了此类材料在半导体电学领域的应用潜力,同时对于此类二维材料在电化学催化、超级电容器等领域的应用提供了一定的指导依据。

著录项

  • 公开/公告号CN105428246B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-05-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京师范大学;

    申请/专利号CN201510649296.4

  • 发明设计人 闫东鹏;赵以兵;

    申请日2015-10-09

  • 分类号

  • 代理机构北京太兆天元知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人张洪年

  • 地址 100875 北京市海淀区新街口外大街19号

  • 入库时间 2022-08-23 10:12:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-05-29

    授权

    授权

  • 2016-04-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/34 申请日:20151009

    实质审查的生效

  • 2016-03-23

    公开

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