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通用四端口在片高频去嵌入方法

摘要

本发明提出了一种通用四端口在片高频去嵌入方法。所述方法包括针对每个去嵌入陪测结构建立考虑了各去嵌入陪测结构高频特性分布本质的模型;并利用所述模型通过计算或者仿真得到所述N个去嵌入陪测结构的本征Y参数导纳矩阵;将去嵌入所需要剥离的寄生参量四端口网络的相关导纳矩阵元素以及所述计算或者仿真所基于的模型的模型参数作为未知数求解所述去嵌入陪测结构的相关测试以及计算或者仿真数据所满足的方程组。本发明充分考虑了实际所需去嵌入陪测结构的非理想本质,对于必需的去嵌入陪测结构不再像现有技术那样做集总化理想假设,可以说继承并进一步发扬了通用四端口高频去嵌入现有技术的普适通用性优点。

著录项

  • 公开/公告号CN105891628B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-05-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN201610193008.3

  • 申请日2016-03-30

  • 分类号

  • 代理机构北京中伟智信专利商标代理事务所;

  • 代理人张岱

  • 地址 100084 北京市海淀区清华园1号

  • 入库时间 2022-08-23 10:11:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-05-29

    授权

    授权

  • 2016-09-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R31/00 申请日:20160330

    实质审查的生效

  • 2016-08-24

    公开

    公开

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