机译:SiGe HBT的高频散射参数和噪声表征的简单四端口寄生去嵌入方法
School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA 30332-0250 USA;
Deembedding; noise; noise correlation matrix; parasitics; S-parameters; SiGe HBT; Y-parameters;
机译:SiGe HBT的高频噪声表征和建模
机译:SiGe HBT噪声参数在70–170 GHz范围内的表征
机译:200 GHz SiGe HBT高频噪声参数的分析模型
机译:一种简单的4端口寄生去嵌入方法,用于SiGe HBT的高频表征
机译:SiGe HBT和RF CMOS的高频噪声建模和微观噪声仿真。
机译:使用宽视场高频结构光成像恢复的亚扩散散射参数图
机译:击穿区域不同尺寸SiGe HBT的噪声参数分析
机译:siGe HBT中寄生导带屏障形成的器件物理分析