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用于交叉点内存阵列用的电阻开关与选择器共存器件及制备方法和应用

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本发明属于半导体复合材料领域，公开一种用于交叉点内存阵列用的电阻开关与选择器共存器件及其制备方法和应用。本发明主要是建立在不同电极效应下的掺铌SrTiO

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公开/公告号CN105720194B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-05-15

原文格式PDF
申请/专利权人广东工业大学;
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申请/专利号CN201610144023.9
发明设计人唐新桂;张天富;蒋艳平;刘秋香;
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申请日2016-03-14
分类号
代理机构广东广信君达律师事务所;
代理人张燕玲
地址 510006 广东省广州市番禺区广州大学城外环西路100号
入库时间 2022-08-23 10:11:21

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-05-15

授权

授权
2016-07-27

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L45/00 申请日:20160314

实质审查的生效
2016-06-29

公开

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