一种高电阻率单晶ZnO基辐射探测器件及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种高电阻率单晶ZnO基辐射探测器件及其制备方法和应用。所述制备方法包括如下步骤：S1.制备高电阻率单晶ZnO晶片；S2.在高电阻率单晶ZnO晶片的双侧蒸镀金属电极层；S3.将步骤S2处理后的晶片结合到电路板上，并通过金线将晶片与电路板相连接。同时采用α源对器件性能进行测试，器件表现出了良好的辐射响应。本发明采用具有更强抗辐照能力、更宽带隙、更高的击穿电场强度等优异特性的高阻ZnO材料进行辐射探测器件的制造，所得器件结构简单、制造工艺简单、成本低，可重复性高，质量好，其具有强的抗辐射能力，具有较高的实用性，推广应用前景好。