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具有高介电常数与低漏电流特性的金属电容器

摘要

一种具有高介电常数与低漏电流特性的金属电容器。位于一基底上的该金属电容器,自基底依序往上至少包括有第一金属层,具有高能隙特性的第一介电层,具有高介电常数的第二介电层,具有高能隙特性的第三介电层,以及第二金属层。

著录项

  • 公开/公告号CN1288756C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2006-12-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN02120269.9

  • 申请日2002-05-17

  • 分类号

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人王学强

  • 地址 台湾省新竹科学工业园区新竹县园区三路121号

  • 入库时间 2022-08-23 08:58:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2006-12-06

    授权

    授权

  • 2005-03-02

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-11-26

    公开

    公开

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