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公开/公告号CN1288756C
专利类型发明授权
公开/公告日2006-12-06
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN02120269.9
发明设计人 史望澄;丁文琪;李自强;林志贤;王是琦;
申请日2002-05-17
分类号
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人王学强
地址 台湾省新竹科学工业园区新竹县园区三路121号
入库时间 2022-08-23 08:58:57
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-12-06
授权
2005-03-02
实质审查的生效
2003-11-26
公开
机译: 电容器具有高温稳定性,高介电常数,低介电损耗和低泄漏电流
机译: 制造具有高介电常数和低漏电流密度的钛酸锶基介电层的方法及制造包括基于钛酸锶的介电层的电容器的方法
机译: 铁电介质存储单元可以切换至少千兆次周期,并具有低疲劳-具有高介电常数和低泄漏电流
机译:ZrTiO_4膜具有高电容密度和低漏电流的金属-绝缘体-金属电容器
机译:具有原子层沉积ZrO_2栅氧化物的In_(0.53)Ga_(0.47)As基金属氧化物半导体电容器证明了低栅漏电流和等效氧化物厚度小于1 nm
机译:由界面控制的高介电常数Al_2O_3 / TiO_x纳米层压板具有低损耗和低泄漏电流密度,适用于新一代纳米器件
机译:在最佳工艺温度和O_2后沉积退火条件下通过原子层沉积形成的低漏电流Al_2O_3金属-绝缘体-金属电容器
机译:具有高介电常数和低介电损耗特性的聚合物纳米复合材料。
机译:具有高介电常数的柔性超高温聚合物基电介质用于薄膜电容器应用
机译:校正:多壁碳纳米管对金属酞菁的化学接枝,用于制备具有高介电常数和低介电损耗的纳米复合材料,用于储能应用
机译:合成原子阵列:具有大能量密度和小泄漏电流的纳米电容器电池。