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低漏电流聚吡咯铝电解电容器的研制

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摘要

采用化学氧化聚合法在铝箔上原位聚合聚吡咯阴极层,研究了不同氧化剂、4-硝基酞酸加入方式对聚吡咯电容器性能的影响.结果表明:添加4-硝基酞酸明显降低了电容器的漏电流,制备出tan δ为0.012(100 Hz),IL小于0.8 μA,且具有良好频率特性的固体片式铝电解电容器.

著录项

来源
《电子元件与材料》 |2007年第7期|38-41|共4页
作者
马海峰; 程贤甦; 林俊鸿;
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作者单位

福州大学,材料科学与工程学院,福建,福州,350002;

福州大学,材料科学与工程学院,福建,福州,350002;

福建国光新型电子元件与材料技术研究院,福建,福州,350015;

福州大学,材料科学与工程学院,福建,福州,350002;

福州大学,材料科学与工程学院,福建,福州,350002;

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正文语种 chi
中图分类电解电容器;
关键词
电子技术; 聚吡咯; 化学聚合; 固体铝电解电容器; 漏电流;

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