公开/公告号CN104636548B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-05-08
原文格式PDF
申请/专利权人 西安紫光国芯半导体有限公司;
申请/专利号CN201510050730.7
发明设计人 谢永宜;
申请日2015-01-30
分类号
代理机构西安智邦专利商标代理有限公司;
代理人张倩
地址 710055 陕西省西安市高新6路38号腾飞创新中心A座4层
入库时间 2022-08-23 10:10:42
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-05-08
授权
授权
2016-03-16
著录事项变更 IPC(主分类):G06F17/50 变更前: 变更后: 申请日:20150130
著录事项变更
2015-06-17
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20150130
实质审查的生效
2015-05-20
公开
公开
机译: 一种非易失性存储装置及其制造方法,能够同时选择由可变电阻元件构成的存储单元阵列中的多种可变电阻器元件
机译: 一种用于访问集成电路中的存储单元的方法,一种用于确定一组字线电压-集成电路中的标识符的方法,一种用于对集成电路中的存储单元进行分类的方法,一种用于确定集成电路中的字线电压的方法访问集成电路中的存储单元和集成电路
机译: 非易失性静态RAM单元用于可编程逻辑电路,具有连接到存储节点的电阻存储单元,其中存储单元由布置在电极之间的可变电阻材料区域形成