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等离子体薄膜淀积过程的控制

摘要

在用等离子体将薄膜淀积到衬底表面上的一种工艺中,对等离子体的光发射进行了监测、分析,用其结果自动控制等离子体的性质,以便控制所淀积的薄膜的特性。发射受检测的一个方面是来自同一等离子体物质不同波长带各两个发射线的强度,求出这些强度的比值,将其与已知的预定值进行比较,以便得出特性一致具重复性的薄膜。此外还将此比值与等离子体的平均电子温度联系起来,可以从该比值计算出等离子体的平均电子温度。另外,希望进一步控制时可以测定从另一个等离子体物质的另一发射线强度,并求出它与其中前一个线的强度的比值。

著录项

  • 公开/公告号CN1024814C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日1994-06-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 美国BOC氧气集团有限公司;

    申请/专利号CN88104424.5

  • 发明设计人 约翰·T·费尔斯;尤金·S·洛帕塔;

    申请日1988-07-15

  • 分类号C23C16/52;

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人肖掬昌

  • 地址 美国新泽西州

  • 入库时间 2022-08-23 08:54:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 1996-08-28

    专利权的终止未缴年费专利权终止

    专利权的终止未缴年费专利权终止

  • 1994-06-01

    授权

    授权

  • 1990-08-08

    实质审查请求

    实质审查请求

  • 1989-01-25

    公开

    公开

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