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一种变掺杂变组分的AlGaNGaN中子探测器

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摘要

本发明公开一种变掺杂变组分AlGaN/GaN中子探测器，为PIN结构，以自支撑n型GaN作为衬底，在衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术顺序生长变掺杂变组分n型AlGaN层、未掺杂GaN层和p型GaN层；在p型GaN和n型衬底上沉积金属并做退火处理形成欧姆接触电极；在p型GaN层上沉积

1. 一种变掺杂变组分的AlGaNGaN中子探测器 [P] . 中国专利： CN106711250B . 2018.04.17
2. 一种变掺杂变组分AlGaAsGaAs核辐射探测器 [P] . 中国专利： CN106711273A . 2017-05-24
3. Method for uniformizing a neutron magneticflux to the radial direction in the neutron transmutation doping technology [P] . 韩国专利： KR100525463B1 . 2005-11-04

机译：中子trans变掺杂技术中沿径向均匀化中子磁通的方法
4. Process for vaporizing prescribed components from a starting multicomponent mixture or system uses ring crucibles made of a material which acts as a susceptor against electromagnetic alternating fields [P] . 德国专利： DE19904863C1 . 2000-04-20

机译：从起始的多组分混合物或系统中汽化规定组分的方法使用了一种环形坩埚，该环形坩埚由一种材料制成，可以抵抗电磁交变场的作用
5. Apparatus and method for neutron transmutation doping of semiconductor wafers [P] . 美国专利： US10468148B2 . 2019-11-05

机译：半导体晶片的中子trans变掺杂的设备和方法