无掩模建立自对准磁性穿隧接面的拓朴方法

摘要

本发明涉及无掩模建立自对准磁性穿隧接面的拓朴方法，其提供不使用微影掩模来形成自对准MTJ的方法和所得装置。具体实施例包括：形成第一电极于金属层上方，使该金属层凹进低k介电层；形成MTJ层于第一电极上方；形成第二电极于该MTJ层上方；部份移除该第二电极、该MTJ层及该第一电极向下到该低k介电层；形成氮化硅基层于该第二电极及该低k介电层上方；以及平坦化该氮化硅基层向下到该第二电极。