一种提高二硫化钼薄膜生长均匀性的单独硫源温控工艺

摘要

本发明公开了一种提高二硫化钼薄膜生长均匀性的单独硫源温控工艺。先对不锈钢料瓶进行抛光并置于管式炉外，将氩气输入、输出管与管式炉输入管连通；将硫粉置于料瓶中；料瓶外围缠绕伴热带并与触摸屏连接；输入料瓶目标温度及加热时间；先对管式炉加热，管式炉达到设定温度后对料瓶加热，料瓶达到设定温度后，向料瓶中通入Ar气进行二硫化钼薄膜生长；生长结束后降至室温，取出样品，观察二硫化钼薄膜表面均匀性。通过采用硫源单独温控技术实现对二硫化钼薄膜生长过程中硫源温度、蒸汽压的精确控制，避免传统化学气相沉积过程中硫的提前蒸发导致的三氧化钼的提前硫化，提高了二硫化钼薄膜生长过程的可控性，从而提高了二硫化钼薄膜的均匀性。