一种改善栅极结构线宽粗糙度的方法

摘要

本发明提供一种改善栅极结构线宽粗糙度的方法，包括：提供半导体衬底；在该半导体衬底上形成栅极结构，并在该栅极结构的侧壁上形成第一隔离层；在该栅极结构的顶部、该第一隔离层的顶部和侧壁、该半导体衬底上形成第二隔离层；在该第二隔离层上形成牺牲材料层；回蚀刻该牺牲材料层以露出位于该栅极结构的顶部和该第一隔离层的顶部的该第二隔离层；蚀刻去除位于该栅极结构的顶部和该第一隔离层的顶部的该第二隔离层；去除剩余的该牺牲材料层；去除该第一隔离层；在氢气气氛下进行退火处理；去除该第二隔离层。根据本发明，通过在氢气气氛下进行退火处理的方法，有效地将栅极结构线宽粗糙度控制在一定范围，从而提升器件的整体性能。