公开/公告号CN1278426C
专利类型发明授权
公开/公告日2006-10-04
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN02105861.X
申请日2002-04-11
分类号
代理机构北京三友知识产权代理有限公司;
代理人李强
地址 台湾省新竹科学工业园区
入库时间 2022-08-23 08:58:54
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-10-04
授权
授权
2003-12-31
实质审查的生效
实质审查的生效
2003-10-22
公开
公开
2002-07-24
实质审查的生效
实质审查的生效
机译: 形成具有带区和外围逻辑器件区的浮栅存储单元的半导体阵列的方法
机译: 形成具有带区和外围逻辑器件区的浮栅存储单元的半导体阵列的方法
机译: 形成具有带区和外围逻辑器件区的浮栅存储单元的半导体阵列的方法