公开/公告号CN105926019B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-03-30
原文格式PDF
申请/专利权人 南开大学;
申请/专利号CN201610411150.0
申请日2016-06-12
分类号C25D11/10(20060101);C25D11/12(20060101);C23C14/18(20060101);C25D3/56(20060101);C23F1/18(20060101);C23F1/34(20060101);C23F1/14(20060101);B82Y40/00(20110101);
代理机构12002 天津佳盟知识产权代理有限公司;
代理人刘书元
地址 300353 天津市津南区海河教育园区同砚路38号
入库时间 2022-08-23 10:09:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-12
专利权的转移 IPC(主分类):C25D11/10 登记生效日:20200522 变更前: 变更后: 申请日:20160612
专利申请权、专利权的转移
2018-03-30
授权
授权
2016-10-05
实质审查的生效 IPC(主分类):C25D11/10 申请日:20160612
实质审查的生效
2016-09-07
公开
公开
机译: 硅团簇超晶格,硅团簇超晶格的制备方法,硅团簇的制备方法,硅团簇超晶格结构,硅团簇超晶格结构的制备方法,半导体器件和量子器件
机译: 硅团簇超晶格和硅团簇超晶格的生产方法,硅团簇的生产方法,硅团簇超晶格结构和硅团簇超晶格结构的生产方法,半导体器件和量子器件
机译: 半导体层结构具有超晶格,该超晶格具有一种成分和另一种成分的连接半导体的交替堆叠层,其中堆叠层具有特定浓度的掺杂剂