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用于垂直半导体器件的精度提高的器件体系结构和方法

摘要

通常在已知为分立半导体的器件类别中找到的垂直半导体器件的关键电气规格的改进对于这些器件在其中使用的系统的性能实现和功率效率有直接的影响。不精确的垂直器件规格使系统建构者或者针对他们需要的规格目标筛选进入的器件,或者以比所期望的更低的性能或更低的效率来设计他们的系统。公开了一种用于针对垂直半导体器件实现所期望目标规格的体系结构和方法。阈值电压的精确微调改进了导通电阻和开关时间两者的达到目标。栅极电阻的精确微调还改进了开关时间的达到目标。器件的有效宽度的精确微调改进了导通电阻和电流携载能力两者的达到目标。器件参数被微调以改进单个器件,或者达到参数规格的目标来匹配在两个或更多器件上的规格。

著录项

  • 公开/公告号CN105051876B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-03-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 D3半导体有限公司;

    申请/专利号CN201380071294.0

  • 发明设计人 T.E.哈林顿三世;

    申请日2013-11-26

  • 分类号H01L21/66(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人王岳;刘春元

  • 地址 美国德克萨斯州

  • 入库时间 2022-08-23 10:09:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-03-27

    授权

    授权

  • 2015-12-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/66 申请日:20131126

    实质审查的生效

  • 2015-11-11

    公开

    公开

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