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公开/公告号CN105579391B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-03-09
原文格式PDF
申请/专利权人 S·E·阿尔珀;M·M·土伦巴斯;T·阿金;
申请/专利号CN201380079417.5
发明设计人 S·E·阿尔珀;M·M·土伦巴斯;T·阿金;
申请日2013-09-11
分类号
代理机构北京三友知识产权代理有限公司;
代理人王小东
地址 土耳其安卡拉
入库时间 2022-08-23 10:08:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-03-09
授权
2016-07-20
实质审查的生效 IPC(主分类):B81C1/00 申请日:20130911
实质审查的生效
2016-05-11
公开
机译: 具有垂直馈通的晶片级气密包装的方法
机译: 使用垂直馈通的晶圆级密封包装方法
机译: 垂直进给的晶圆级气密包装方法
机译:使用具有垂直馈通的SOI盖晶片的MEMS晶片级气密封装的先进MEMS工艺
机译:使用阳极键合的垂直馈通对MEMS器件进行晶圆级气密密封
机译:一种使用先进的MEMS工艺对具有嵌入式垂直馈通的SOI-MEMS器件进行晶圆级气密封装的方法
机译:具有塑料芯焊料凸块的晶片级包装方法的可靠性:利用0.3毫米直径的Sn-Ag焊料
机译:利用晶片键合技术设计和制造长波长垂直腔面发射激光器。
机译:借助微滴电池在晶片级进行ISFET的功能测试和表征
机译:使用金晶片级热压键合的气密腔
机译:利用压电晶片有源传感器进行腐蚀检测的多模式传感系统