公开/公告号CN103872110B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-03-30
原文格式PDF
申请/专利号CN201210526482.5
申请日2012-12-07
分类号
代理机构北京华沛德权律师事务所;
代理人刘丽君
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所
入库时间 2022-08-23 10:08:49
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-03-30
授权
授权
2016-01-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/739 申请日:20121207
实质审查的生效
2014-06-18
公开
公开
机译: IGBT器件背面结构及其制备方法和IGBT器件
机译: 半导体元件,尤其是非穿通型场截止IGBT或p IGBT,在半导体背面附近但与后电极分开的区域中具有高掺杂层
机译: 制造具有侧面倾斜的防逆型IGBT的方法