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李晓平; 赵哿; 刘江; 高明超; 王耀华; 金锐; 温家良; 潘艳;
全球能源互联网研究院功率半导体研究所;
逆导型绝缘栅双极晶体管; 绝缘栅双极晶体管; 二极管; 饱和压降;
机译:高K材料大电流快速双门IGBT器件的仿真研究。
机译:4H-SiC n-IGBT的器件设计评估-仿真研究
机译:IGBT模块开发中的器件/电路/热协同仿真技术
机译:3300V HiPak2模块,带有增强型沟槽(TSPT +)IGBT和额定电流高达1800A的场电荷提取二极管
机译:增强型AlGaN / GaN晶体管的制造技术和器件仿真。
机译:用于高性能有机电致发光器件的双发射型2-(2-羟基苯基)恶唑:通过逆系统间交叉过程发现激发态分子内质子转移的新平衡
机译:IGBT功率器件仿真建模的效益分析
机译:垂直IGBT中JFET效应的仿真研究
机译:栅极导通电流的计算方法,器件仿真方法及MOS型半导体
机译:高压断路器igbt逆的半导体器件及其制造工艺
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