碳化硅半导体衬底、制造碳化硅半导体衬底的方法、以及制造碳化硅半导体器件的方法

摘要

一种碳化硅半导体衬底(10)，包括：具有外径不小于100mm的主表面并且由单晶碳化硅制成的基础衬底(1)；形成在主表面(1A)上的外延层(2)；以及形成在基础衬底(1)的与主表面(1A)相反的背侧表面(1B)上的变形抑制层(8)。以此方式，通过变形抑制层(8)最小化衬底的变形(例如在高温处理过程中的翘曲)。这可降低在利用碳化硅半导体衬底(10)执行制造碳化硅半导体器件的方法的制造工艺过程中在碳化硅半导体衬底(10)中发生诸如裂缝的缺陷的风险。