基于MMI耦合器的InP基少模光子集成发射芯片

摘要

本发明提供了一种基于MMI耦合器的少模光子集成发射芯片。该少模光子集成发射芯片包括：激光器，用于产生单纵模基横模的激光；功率分配器，位于所述激光器的光路后端，用于将激光器产生的激光分为两路；调制器组，位于所述功率分配器的光路后端，包括两调制器，用于分别对功率分配器分出的两路激光进行调制；模式转换‑复用器，位于所述调制器组的光路后端，用于实现调制后的两路激光的模式转换和复用；其中，所述功率分配器和模式转换‑复用器基于MMI耦合器实现。本发明使用1×1MMI耦合器作为模式转换‑复用器中的π/2相移器，相移器的设计和制作都较为简单，易于实现，同时增加了集成度并降低了设计和工艺制作难度。