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具有防止逆向工程特性的半导体器件

摘要

ROM电路包括:第一N沟道晶体管,其具有输出以及适于当P沟道电路连接到第一N沟道晶体管时以预定电平对输出进行偏置的器件几何形状和器件特性;传输晶体管,其连接在输出端和数据总线之间,该传输晶体管连接到字线,该字线适于当字线被断言时导通传输晶体管;以及P沟道电路,其连接到数据总线并且适于当传输晶体管被导通时提供泄漏电流从而为第一N沟道晶体管的栅极充电。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-03-02

    授权

    授权

  • 2016-02-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/112 申请日:20140107

    实质审查的生效

  • 2015-12-02

    著录事项变更 IPC(主分类):H01L27/112 变更前: 变更后: 申请日:20140107

    著录事项变更

  • 2015-10-07

    公开

    公开

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