首页> 中国专利> 一种基于介质沉积型表面等离子波导的SOI基MZI型1×2热光开关

一种基于介质沉积型表面等离子波导的SOI基MZI型1×2热光开关

摘要

本发明公开了一种基于介质沉积型表面等离子波导的SOI基MZI型1×2热光开关,包括一个硅脊型直波导,作为SOI基1×2热光开关与外接单模光纤的接口;一个拉锥型的硅脊型波导Y分支,作为1×2热光开关的3‑dB光学分束器,用于将输入光波等量的分成两束;六个S形硅脊型弯曲波导,分别用于Y分支与两侧调制臂以及调制臂与定向耦合器的连接,并且将经过定向耦合器调制后的光输出;两个介质沉积型表面等离子波导,位于1×2热光开关的两侧调制臂上,用于MZI结构的相位调制;一个硅脊型波导的定向耦合器,用于对相位调制后的两束光进行多模干涉,将相位调制转化为强度调制。本发明具有响应快、集成化程度高、开关功耗低等特性。

著录项

  • 公开/公告号CN105388637B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-02-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东南大学;

    申请/专利号CN201510953020.5

  • 申请日2015-12-17

  • 分类号G02F1/01(20060101);G02F1/31(20060101);G02B6/122(20060101);G02B6/125(20060101);G02B6/28(20060101);G02B6/35(20060101);

  • 代理机构32249 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人黄成萍

  • 地址 211189 江苏省南京市江宁区东南大学路2号

  • 入库时间 2022-08-23 10:07:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-02-13

    授权

    授权

  • 2016-04-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02F1/01 申请日:20151217

    实质审查的生效

  • 2016-03-09

    公开

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