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一种无双极晶体管的高阶温度补偿带隙基准参考电路

摘要

本发明请求保护一种无双极晶体管的高阶温度补偿带隙基准参考电路,包含前调整器电路、一阶带隙基准电路、低温区域温度分段补偿电路、高温区域温度分段补偿电路及启动电路,采用亚阈值NMOS管栅‑源电压产生的负温度系数电压VCTAT及两个亚阈值NMOS管栅‑源电压之差产生的正温度系数电压VPTAT获得一阶带隙基准电压,将低温区域温度分段补偿电压(VNL1与VNL2)及高温区域温度分段补偿电压(VNL3与VNL4)引入到一阶带隙基准电路所产生的一阶带隙基准电压中,实现了低温度系数的带隙基准电压,并采用前调整器技术提高带隙基准的电源抑制比,从而实现了一种无双极晶体管的高阶温度补偿带隙基准参考电路。

著录项

  • 公开/公告号CN106774592B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-02-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 重庆邮电大学;

    申请/专利号CN201611151739.8

  • 申请日2016-12-14

  • 分类号G05F1/567(20060101);

  • 代理机构50102 重庆市恒信知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘小红

  • 地址 400065 重庆市南岸区南山街道崇文路2号

  • 入库时间 2022-08-23 10:07:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-04

    专利权的转移 IPC(主分类):G05F1/567 登记生效日:20181114 变更前: 变更后: 申请日:20161214

    专利申请权、专利权的转移

  • 2018-02-27

    授权

    授权

  • 2017-06-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):G05F1/567 申请日:20161214

    实质审查的生效

  • 2017-05-31

    公开

    公开

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