基于SOI技术集成多传感器芯片

摘要

基于SOI技术集成多传感器芯片，包括硅膜，硅膜与玻璃底座在真空环境下通过静电键合结合，中间形成相对独立的真空环境，硅膜的岛结构下端固定有重锤，硅膜的岛结构上集成有湿度传感器和温度传感器，硅膜上岛结构的四周集成有压力传感器和加速度传感器，加速度传感器包括Y方向加速度测量电路、X方向加速度测量电路和Z方向加速度测量电路。本发明的集成多传感器芯片采用SOI技术，将温度传感器、压力传感器、加速度传感器和湿度传感器集成在一块芯片上，用一块芯片就可得到尽量多的测量参数，而且解决了多传感器各参量之间相互干扰的问题，其体积小、重量轻，尤其在航空航天领域、军事工业领域、汽车领域以及手机行业等特定领域，具有重要的应用前景。