电容性微加工换能器和制造所述电容性微加工换能器的方法

摘要

本发明涉及一种制造电容性微加工换能器(100)、尤其是CMUT的方法，所述方法包括：将第一电极层(10)沉积在基板(1)上，将第一介电薄膜(20)沉积在所述第一电极层(10)上，将牺牲层(30)沉积在所述第一介电薄膜(20)上，所述牺牲层(30)可移除以形成所述换能器的腔体(35)，将第二介电薄膜(40)沉积在所述牺牲层(30)上，将第二电极层(50)沉积在所述第二介电薄膜(40)上，以及图案化所述沉积层和薄膜(10、20、30、40、50)中的至少一个，其中所述沉积步骤是通过原子层沉积来执行的。本发明还涉及一种通过此方法制造的电容性微加工换能器、尤其是CMUT。