法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-01-09
授权
授权
2016-08-10
实质审查的生效 IPC(主分类):B01J3/08 申请日:20160329
实质审查的生效
2016-07-13
公开
公开
机译: 一种用于制备具有带有金属层的栅电极的场效应晶体管结构的接触装置的方法,以及该方法在单元阵列中生产场效应晶体管装置的用途
机译: 利用光子晶体结构来增强磁光克尔效应的方法,以及具有增强的磁光克尔效应的光子晶体,一种制造光子晶体的方法
机译: 一种场效应晶体管的制造方法,所述场效应晶体管在所述门的电极和所述互连线之间具有电连接,所述互连线金属自对准,并且电路集成在所述合成物中