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用于改进的RRAM可靠性的金属线连接件、包括它的半导体布置及其制造方法

摘要

一种集成电路器件包括RRAM单元的阵列、用于RRAM单元的阵列的位线的阵列以及用于RRAM单元的阵列的源极线的阵列。源极线和位线都位于RRAM单元之上的金属互连层中。从而提供了具有比传统的引线尺寸更高的源极线,这使复位速度增大了约一个数量级。结果,RRAM晶体管的寿命和RRAM器件的耐久性提高了类似的程度。本发明提供用于改进的RRAM可靠性的金属线连接件、包括它的半导体布置及其制造方法。

著录项

  • 公开/公告号CN104752456B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-01-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN201410338629.7

  • 发明设计人 蔡竣扬;丁裕伟;黄国钦;

    申请日2014-07-16

  • 分类号

  • 代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司;

  • 代理人章社杲

  • 地址 中国台湾新竹

  • 入库时间 2022-08-23 10:06:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-01-26

    授权

    授权

  • 2015-07-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/24 申请日:20140716

    实质审查的生效

  • 2015-07-01

    公开

    公开

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