基于机电耦合的分布式MEMS移相器电容桥高度公差的确定方法

摘要

本发明公开了一种基于机电耦合的分布式MEMS移相器电容桥高度公差的确定方法，包括：1)确定分布式MEMS移相器的结构参数、材料属性和电磁工作参数；2)确定移相器等效电路参数；3)确定移相器的位数k；4)确定移相器的标准电容桥高度；5)给出初始电容桥的偏移量；6)利用单个电容桥的机电耦合模型，计算单个电容桥产生的相移量；7)计算移相器的相移量；8)计算移相器的偏差量；9)判断该电容桥高度情况下的移相器偏差量是否满足公差要求。本发明利用移相器电容桥结构参数和相移量之间的机电耦合模型，直接得到电容桥结构参数对移相器相移量的影响，快速给出合理的电容桥结构公差精度，降低加工成本和难度，缩短研制周期。