无核心层封装基板与其制造方法

摘要

本发明公开一种无核心层封装基板与其制造方法，该方法包含以下步骤：首先在承载基板上形成第一图案化金属层，其中第一图案化金属层具有牺牲区块与多个导体柱。接着在承载基板与第一图案化金属层上形成介电层，且平坦化介电层并裸露出第一图案化金属层。然后薄化第一图案化金属层，使介电层凸出于第一图案化金属层。接着在牺牲区块上形成蚀刻停止层，并按序形成第二图案化金属层、第一线路增层结构于蚀刻停止层与第一图案化金属层上。最后移除承载基板，移除第一图案化金属层的牺牲区块，并形成置晶凹槽，以及移除蚀刻停止层。本发明使凸块的高度高出于相连接或相对应的线路层，甚至高于凸块周围的介电层，而使晶片与凸块的电性连接品质更好。